集思學(xué)院的「留學(xué)背景提升」微電子器件設(shè)計(jì)與仿真項(xiàng)目，適合電子工程、電子計(jì)算機(jī)工程、通信工程和電子技術(shù)等專業(yè)或者對(duì)微電子半導(dǎo)體物理感興趣的學(xué)生。
一、項(xiàng)目詳情
項(xiàng)目?jī)?nèi)容包括金屬、半導(dǎo)體與絕緣體晶格結(jié)構(gòu)、帶隙和費(fèi)米能級(jí)，載流子電流輸運(yùn)與漂移擴(kuò)散模型，半導(dǎo)體本征載流子濃度與摻雜改性，電阻率與方塊電阻，PN結(jié)與二極管方程等。學(xué)生將通過(guò)項(xiàng)目理論結(jié)合實(shí)際，接軌微電子半導(dǎo)體器件前沿理論與技術(shù)，在結(jié)束時(shí)提交項(xiàng)目報(bào)告，進(jìn)行成果展示。
二、適合人群
大學(xué)生
電子工程、電子計(jì)算機(jī)工程、通信工程和電子技術(shù)等專業(yè)或者對(duì)微電子半導(dǎo)體物理感興趣的學(xué)生；學(xué)生需要具備傳感器、數(shù)字邏輯等電子工程相關(guān)基礎(chǔ)
三、項(xiàng)目大綱
金屬、半導(dǎo)體與絕緣體晶格結(jié)構(gòu)、帶隙和費(fèi)米能級(jí)Lattice structure,band gap and Fermi level in metals,semiconductors,and insulators
載流子電流輸運(yùn)與漂移擴(kuò)散模型Carrier transport,drift/diffusion model
半導(dǎo)體本征載流子濃度與摻雜改性Intrinsic carrier concentration and its modification by doping in semiconductors
電阻率與方塊電阻Resistivity and sheet resistance
PN結(jié)與二極管方程PN junctions and the diode equation
項(xiàng)目回顧與成果展示Program Review and Presentation
論文輔導(dǎo)Project Deliverables Tutoring
四、時(shí)間安排與收獲
7周在線小組科研學(xué)習(xí)+5周論文輔導(dǎo)學(xué)習(xí)共125課時(shí)
學(xué)術(shù)報(bào)告
*學(xué)員獲主導(dǎo)師Reference Letter
EI/CPCI/Scopus/ProQuest/Crossref/EBSCO或同等級(jí)別索引國(guó)際會(huì)議全文投遞與發(fā)表（可用于申請(qǐng)）
結(jié)業(yè)證書
成績(jī)單
集思學(xué)院科研品牌Path Academics通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)方法和高學(xué)術(shù)道德標(biāo)準(zhǔn)，提供創(chuàng)新教育和跨學(xué)科研究項(xiàng)目，為全球大學(xué)生和優(yōu)秀高中生創(chuàng)造海外高校的教學(xué)環(huán)境。我們致力于通過(guò)實(shí)際科研學(xué)習(xí)和思考方式培養(yǎng)學(xué)生，并賦予他們能夠在下一階段學(xué)習(xí)中脫穎而出的能力。
